湖北武汉国家存储器基地项目二期主体竣工

日前，武汉国家存储器基地项目二期主体工程顺利竣工，该项目总投资 480 亿元，建筑面积 45 万平方米，是国家集成电路产业重点项目，聚焦 3D NAND 闪存芯片研发与生产，投产后月产能达 40 万片晶圆，将显著提升我国存储器产业自主可控能力。

建设中，项目攻克超高洁净度厂房、超纯水系统等技术难题，采用模块化施工与智能建造技术，实现施工精度与效率双提升；厂房配备国际先进的洁净空调与废气处理系统，保障生产环境与生态安全。二期工程的竣工，为设备安装与调试奠定基础，计划 2026 年下半年试生产，2027 年全面投产。

该项目将推动我国集成电路产业发展，带动上下游企业集聚，助力武汉打造 “中国存储谷”，为全球半导体产业格局调整注入中国力量。